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[发明专利]一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法-CN202210219884.4在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法，涉及半导体材料技术领域；包括周期循环生长的本征GaN层和高掺GaN层，或低掺GaN层和高掺GaN层；所述p型GaN层的生长方法包括以下步骤：1)生长本征GaN层或低掺GaN层，生长温度为850‑950℃；2)在所述本征GaN层或低掺GaN层上生长高掺GaN层；3)在所述高掺GaN层上周期循环生长本征GaN层/低掺GaN层和高掺GaN层，得到p型GaN层本发明的高掺GaN层为低温下通Mg源生长p‑GaN后高温退火，得到的p型GaN层能改善p型层材料的质量，有效改善了有源发光层延伸的Pits、表面粗糙等缺陷，提高Mg的激活效率，减少接触电阻。
一种 gan 生长方法外延结构及其

[发明专利]GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底-CN200810109546.5无效
发明人：松本直树;佐藤史隆;中畑成二;冈久拓司;上松康二 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底。在此公开一种制造GaN晶体的方法，其涉及在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体。该方法包括以下步骤：制备GaN籽晶衬底，该GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于GaN晶体的热膨胀系数；以及在该GaN籽晶衬底上生长GaN晶体至少1mm的厚度。因此，可以提供一种制造GaN晶体的方法以及一种GaN晶体衬底，该方法可以抑制裂纹的产生并生长厚的GaN晶体。
gan 晶体生长方法衬底

[发明专利]GaN芯片及其制作方法-CN201710267549.0在审
发明人：何宏波;徐静 -专利权人：四川北斗卫星导航平台有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN芯片及其制作方法。GaN芯片包括硅衬底、SiN或AlN成核层、掺杂GaN缓冲层、AlN或GaN隔离层、GaN/InGaN/AlN/GaN双异质结和氧化铝栅介质；GaN/InGaN/AlN/GaN双异质结由下至上，依次设置未掺杂GaN缓冲层、AlN势垒层、InGaN势垒层和GaN帽层；SiN或AlN成核层设置在硅衬底的上面，掺杂GaN缓冲层设置在SiN或AlN成核层的上面，AlN或GaN隔离层设置在掺杂GaN缓冲层的上面，氧化铝栅介质设置在GaN帽层的上面。本发明改善了GaN基晶体管的性能，提高了GaN芯片的工作可靠性，应用于可穿戴设备导航芯片，提升了导航精度。
gan 芯片及其制作方法

[发明专利]一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法-CN202110674594.4在审
发明人：张义;王成新;王建立;李毓锋 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少表面颗粒的GaN厚膜生长方法。所述方法包括步骤如下：(1)通入氨气，在氨气保护下，升温至GaN厚膜生长温度；(2)在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜，然后通入刻蚀性原材料，一边去除托盘上多晶GaN颗粒，一边生长GaN厚膜，得到GaN厚膜。本发明在开始生长GaN厚膜时通入刻蚀性原材料至GaN厚膜生长结束或在GaN厚膜生长过程中间断通入刻蚀性原材料，可以避免托盘上生长多晶GaN，或者将托盘上已经生长的多晶GaN去除，直接避免和减少厚膜GaN生长过程中托盘上的多晶GaN颗粒落到外延片上，实现了GaN厚膜表面多晶GaN颗粒数量＜5个，成功制备得到表面平滑光亮的GaN厚膜。
一种减少表面颗粒 gan 生长方法

[发明专利]具有PN结的GaN外延结构-CN201510450312.7有效
发明人：陈一峰;陈汝钦 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有PN结的GaN外延结构。该外延结构包括衬底；形成在衬底上的成核层；形成在成核层上的P型GaN半导体层；形成在P型GaN半导体层上的N型GaN半导体层，N型GaN半导体层与P型GaN半导体层形成PN结；形成在N型GaN半导体层上的GaN器件，GaN器件最底层的材料与N型GaN半导体层的材料相同；P型GaN半导体层和N型GaN半导体层的掺杂浓度等于或略高于本征载流子浓度，GaN器件最底层的掺杂浓度高于N型GaN半导体层的掺杂浓度，P型GaN半导体层的载流子被N型GaN半导体层和GaN器件最底层完全耗尽。
具有 pn gan 外延结构

[发明专利]透明电极GaN基LED结构及其制作方法-CN200910081994.3无效
发明人：杨华;王晓峰;阮军;王国宏;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种透明电极GaN基LED结构，包括：一衬底；一N型GaN层，该N型GaN层生长在衬底上；一GaN材料有源层，该GaN材料有源层制作在N型GaN层上，该GaN材料有源层的面积小于N型GaN层的面积，而位于N型GaN层的一侧，在N型GaN层的另一侧形成有一台面；一P型GaN层，该P型GaN层制作在GaN材料有源层上；一ZnO层，该ZnO层制作在P型GaN层上；一P型电极，该P型电极制作在ZnO层上；一N型电极，该N型电极制作在N型GaN层的台面上。
透明电极 gan led 结构及其制作方法

[发明专利]LED外延结构及其生长方法-CN201310274853.X有效
发明人：张宇;赖穆人 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：该外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在GaN缓冲层上；量子阱层，设置在N型GaN层上；P型GaN层，设置在量子阱层上。上述N型GaN层包括：第一N型GaN层，设置在GaN缓冲层上；第二N型GaN层，设置在第一N型GaN层上；第三N型GaN层，设置在第二N型GaN层上。上述N型GaN层包括交替设置的Si-Al-GaN层和Si-GaN层。本发明提供的LED外延结构生长方法利用交替式掺杂Si和Al的方式生长N型GaN层，获得Si-Al-GaN/Si-GaN层的周期性结构。
led 外延结构及其生长方法

[实用新型]生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱-CN201420397434.5有效
发明人：李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊;周仕忠;钱慧荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。本实用新型的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好、光电性能好，生长工艺简单，制备成本低廉。
生长 zr 衬底 ingan gan 多量

[发明专利]一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管-CN201410433616.8有效
发明人：杜江锋;刘东;陈南庭;潘沛霖;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，包括AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上部设有源极和栅极，下部依次为GaN沟道层、p‑GaN电流阻挡层、n‑GaN缓冲层、n+‑GaN衬底、漏极；所述p‑GaN电流阻挡层中心设有宽度为LAP的孔径，且嵌套在n‑GaN缓冲层上部，所述n‑GaN缓冲层内设有p‑GaN岛，所述p‑GaN岛位于p‑GaN电流阻挡层与n+‑GaN衬底之间。本发明所提出的GaN PI‑VHFET中，通过使用p‑GaN岛层，在n‑GaN缓冲层内引入额外的p型杂质，截止状态下耗尽n‑GaN缓冲层区域，使得缓冲层在耐压时相当于本征区，因此可以抑制常规GaN VHFET中，垂直电场强度随着远离p‑GaN电流阻挡层与n‑GaN缓冲层界面不断减小的问题，从而提升器件的击穿电压。
一种具有 gan 垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

[发明专利]生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法-CN201410342668.4在审
发明人：李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊;周仕忠;钱慧荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好、光电性能好，生长工艺简单，制备成本低廉。
生长 zr 衬底 ingan gan 多量及其制备方法

[发明专利]一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法-CN201410382375.9有效
发明人：金施耐;许桢;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法。所述制作方法为：低温GaN层在基板上部生长；在低温GaN层上生长高温GaN层；把已经生长了高温GaN层的基板泡在蚀刻溶液中；低温GaN层经蚀刻后消融，则高温GaN层从基板上自然分离，即得GaN基板。本发明是在低温下利用HVPE的方法生长GaN后，高温下GaN厚膜生长完成后做化学蚀刻，再加上利用蚀刻反应形成低温GaN层的界面空隙，由GaN自发分离制作自支撑GaN基板。本发明利用化学的反应，最小化对GaN厚膜的损坏，工艺简单，节约资源，降低生产成本。
一种利用化学蚀刻 gan 制作方法

[发明专利]一种复合结构的GaN功率器件-CN202010030167.8在审
发明人：王磊 -专利权人：王磊
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合结构的GaN功率器件,包括GaN场效应晶体管(GaN FET)和GaN肖特基二极管(GaN SBD)，所述的GaN SBD位于GaN FET的栅极和源极之间；GaN SBD的阳极与GaNFET的源极电气连接，GaN SBD的阴极与GaN FET的栅极电气连接。
一种复合结构 gan 功率器件

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811003560.7有效
发明人：从颖;姚振;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。所述外延片包括：衬底、以及依次在衬底上沉积的低温GaN层、高温GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和活化P型接触层；所述活化P型接触层包括第一GaN层和第二GaN层，所述第一GaN层位于P型层与所述第二GaN层之间；所述第一GaN层为掺杂Mg的GaN层，所述第二GaN层为掺杂Mg和In的GaN层，所述第一GaN层中Mg的浓度高于所述第二GaN层中Mg的浓度，所述第一GaN层的厚度大于所述第二GaN层的厚度
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]GaN自支撑衬底的制备方法-CN202010223742.6在审
发明人：闫其昂;范光华;沈蔚;邢怀勇;杨敏 -专利权人：江苏南大光电材料股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了GaN自支撑衬底的制备方法，首先，在衬底上采用MOCVD外延技术，通入TMG源，外延生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上继续采用MOCVD外延技术，切换TMG源粗体生长GaN牺牲层；然后，采用MOCVD外延技术，切换TMG源，在GaN牺牲层上生长GaN模板层；继而，采用HVPE方法在GaN模板层上生长GaN厚膜层；最后，剥离去除GaN牺牲层实现衬底剥离，获得GaN自支撑衬底。本发明通过TMG源粗体外延生长GaN牺牲层，便于实现衬底剥离，实现GaN自支撑衬底。
gan 支撑衬底制备方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法-CN201810373151.X在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法，GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构，包括Si衬底；所述Si衬底上依序向上生长有AlN层、AlGaN层、GaN三维层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和P型GaN层；GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构具有良好的电学性能；制备方法，包括：第一生长步骤：在Si衬底上依序向上生长AlN层、AlGaN层、GaN三维层和N型GaN层；第二生长步骤：生长InGaN/GaN多量子阱层；第三生长步骤：生长AlGaN电子阻挡层和P型GaN层，得到GaN基发光二极管InGaN/GaN量子阱结构。
量子阱结构生长衬底制备电子阻挡层向上生长三维电学性能

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